北京國聯萬眾半導體科技有限公司總經理安國雨。新華網發

　　目前，第三代半導體材料主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為主，這兩種材料的技術已經發展到了相對成熟的階段。北京國聯萬眾半導體科技有限公司（以下簡稱“國聯萬眾”）是第三代半導體材料及應用聯合創新基地建設和運營單位，正在建設第三代半導體研發創新公共平臺，業務包括第三代半導體工藝、封裝測試、可靠性檢測以及科技服務。

　　國聯萬眾總經理安國雨在接受新華網專訪時表示，“國聯萬眾就是要解決第三代半導體核心芯片自主可控，把關鍵核心技術掌握在自己手中。只有把關鍵核心技術掌握在自己手中，才能從根本上保障國家經濟安全、國防安全和其他安全。作為國家級眾創空間，國聯萬眾很榮幸加入到中國第三代半導體新興產業發展的平臺構建的團隊中。”

　　談到該第三代半導體發展平臺，安國雨告訴記者，“該平臺采取開放聯合、共享合作的方式，為北京發展第三代半導體提供研發支撐和條件保證；下一步將吸引國內外第三代半導體設計、封裝、應用及金融、服務等企業入駐順義園區，形成集聚效應，培育和打造第三代半導體龍頭企業，實現創新驅動發展，為北京發展成為全球第三代半導體新興產業的戰略高地起到引領和帶動作用。”

　　SiC和GaN寬禁帶半導體材料為代表，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和速度高等特性，適于制作抗輻照、耐高溫、高頻、大功率和高可靠的電子器件，在無線通信、電力電子、航空航天等領域具有廣泛的應用前景，是目前國際研究的熱點。

　　安國雨認為，“GaN和SiC功率器件是提升新一代信息技術核心競爭力的重要支撐，是電力電子、微波射頻器件的’核芯’。”即使SiC和GaN材料發展趨勢迅猛，安國雨始終堅信“一代材料一代器件一代裝備”，裝備的性能由核心器件決定。即使面對國際市場壟斷的可能性，國聯萬眾更加堅定走自主研發路線，盡全力打造“中國創造”的品牌。

　　國聯萬眾擁有一批從事核心材料、芯片、封裝等領域的專業人才和團隊，擁有核心專利和專有技術，其GaN功放產品已在國內著名通訊公司得到批量應用，產品水平和國際同步，部分產品達到國際領先水平。安國雨表示，“在人才培養上，國聯萬眾堅持‘國家利益高于一切’企業理念，以‘報國、強企、富民 ’的目標，使國家、企業、個人三者利益高度統一，讓事業留人、待遇留人、感情留人，讓骨干人員有強烈的責任感和榮譽感。”

　　安國雨表示，現階段急需能夠把技術轉化為產品的一流人才，更需要把產品轉化為產業的人才。國聯萬眾希望對發展做出貢獻的骨干團隊給予股權獎勵，鼓勵員工為企業創造價值，同時自己獲得長久收益。也希望國聯萬眾可以積極引進國內外高端人才，和公司原有人才互相補充，通過引進、消化吸收再提高的方式培育高端人才團隊。

　　近年來，北京市科委通過科技新星、領軍人才等專項對第三代半導體產業發展所需人才給予科研經費支持。安國雨表示，“在推進第三代半導體產業發展方面，北京市科委做了大量的工作。一是與順義區政府聯合共建第三代半導體材料及應用聯合創新基地，目前基地主體工程已建成；二是圍繞GaN和SiC第三代半導體材料、器件、應用系統布局，組織科研院所與企業聯合攻關，并積極推動SiC電力電子器件在新能源汽車、軌道交通、光伏發電等領域應用，推動GaN射頻器件在5G通訊中的應用。”

　　北京市全國科技創新中心的定位是全球科技創新引領者、高端經濟增長極、創新人才首選地、文化創新先行區和生態建設示范城。為支撐首都“國際交往中心和科技創新中心”的建設，進一步發揮北京市國際科技合作基地的引領和示范作用，北京市科委遵循科學嚴謹的工作原則，嚴格規范合作基地的審定程序及基地建立后的管理措施，整合資源，創新模式，第三代半導體材料及應用聯合創新基地建設取得了明顯成效。

　　在加快全國科創中心建設方面，安國雨給出了建議。第一，發揮北京區位優勢，吸引第三代半導體全產業鏈優勢企業入駐第三代半導體聯合創新基地，形成產業創新體系和可持續發展的生態環境，從戰略高度，全面、深入整合和利用國際資源，聯合起來共謀發展，促進我國第三代半導體新興產業從跟跑到并跑最終實現領跑。第二，加快解決體制機制問題，破解影響科技創新及其成果產業化的制度性障礙。努力擇天下英才而用之，著力解決創新成果轉化難、創新企業融資難、知識產權保護難等多類問題。第三，加大眾創空間支持力度，營造良好的創新創業環境，促進科技中介服務集群化發展，推動科技與金融緊密結合，支持各類研發創新機構發展，建造更多開放便捷的眾創空間，強化對科技創新中心建設的法治保障，進一步營造大眾創業、萬眾創新的濃厚氛圍。（谷雨/文）