見習記者 阮潤生

　　為扭轉智能手機業務頹勢，韓國三星電子近期宣布投資約900億元興建晶圓代工廠，加碼半導體業務。行業分析師認為，此舉將影響全球行業走勢，可能帶動全球晶圓代工投資熱潮。據證券時報記者了解，近期國內集成電路巨頭也在紛紛融資布局，擴大晶圓產能。

　　影響內存供求格局

　　作為全球最大的存儲芯片制造商，三星于10月6日宣布147億美元(約合900億元人民幣)的半導體投資，有可能會投資生產DRAM(動態隨機存取存儲器)或者NAND(閃存)，計劃于2017年投產運營。為應對智能手機業務頹勢，三星從2013年開始就有意加大對半導體業務的倚重，在美國、中國都投資建設晶圓代工廠。5月，三星西安半導體開始高端閃存芯片正式量產。

　　不過，半導體行業周期性極強，三星以及海力士和美光等內存巨頭都在控制產能，維持供應偏緊的局面。去年，全球第二大的DRAM制造商海力士在無錫發生火災，導致芯片價格上漲四成，提高了智能手機和計算機廠商的組件成本。

　　本次三星擴產，勢必將對同業形成打擊。行業研究機構TrendForce研究協理吳雅婷在報告中指出，目前三星采用較為激進的“先擴產先贏”策略，增高風險，而其他競爭對手為維持供求偏緊狀態，難以跟進。報告顯示，2014年二季度，三星在全球DRAM市場占有率為39%，領先于海力士和美光。

　　“本次三星投資，可能在短期內會造成供過于求，但長期而言，內存市場還是會偏緊。”半導體分析機構IHS首席分析師顧文軍認為，三星會把內存和3D制造的優勢結合，擴大自己在半導體的優勢。

　　引發晶圓代工投資熱

　　顧文軍表示，本次三星的重磅投資，可能引發臺積電和英特爾的投資競賽，促使前者加碼內存業務，加速后者向代工領域轉型。而國內方面已經開始在內存方面尋求突破。中芯國際(00981.HK)作為最大的晶圓代工廠，已經在9月宣布開始自主研發38nm工藝的NAND閃存技術。

　　三星本次加碼的晶圓代工環節，屬于國內集成電路的相對薄弱的制造環節。在國家大力推動集成電路產業發展之際，晶圓代工領域近期融資不斷。10月8日，中芯國際在新加坡完成5億美元債券發行，用于償還公司債務，擴大8英寸及12英寸制造設施產能。按照年報披露的生產計劃，2014年中芯8英寸晶圓產能，由每月12.6萬件晶圓將增至每月13.5萬件晶圓，位于上海的12英寸晶圓廠產能也將提升16.67%達到每月1.4萬件。

　　此外，全球第六大晶圓代工廠上海華虹半導體將于10月15日在香港上市，擬發行2.29億新股，每股售價介于11.15元至12.20元之間，最高集資27.9億元，主要用于擴展產能。按2013年銷售總額計算，目前華虹半導體是全球第二大8英寸代工半導體公司。 值得注意的是，本次上市華虹將引入同方國芯(002049)作為基礎投資人，認購1.16億元。

　　信達證券行業分析師龐立永指出，目前國家正在大力發展集成電路產業，未來國內晶圓代工產業將持續升級發展。作為華虹宏力的前三大客戶，同方國芯通過戰略投資華虹半導體，加強公司與華虹半導體的戰略合作，采用先進工藝降低產品成本。

　　不過，顧文軍表示，相比三星這些巨頭斥資重金，國內集成電路方面投資仍顯不足。北京在全國率先推出300億元集成電路產業基金，首期在制造和裝備子基金規模60億元，但也僅是三星本次投資晶圓代工廠約1/15。“希望國家基金能集中優勢資源，幫助龍頭企業。” 顧文軍說。

(原標題：三星900億加碼半導體 有望掀晶圓代工投資熱)